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Datasheet
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB715F
lApplication
lDimensions (Unit : mm)
lLand size figure (Unit : mm)
Low current rectification
lFeatures
1)
Small mold type. (UMD3)
2)
Low VF
3)
High reliability.
lStructure
lConstruction
Silicon epitaxial planar
lTaping specifications (Unit : mm)
lAbsolute maximum ratings (Ta= 25°C)
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
V
Reverse voltage (DC)
VR
V
Average rectified forward current
Io
mA
IFSM
mA
Junction temperature
Tj
°C
Storage temperature
Tstg
°C
(*1) Rating of per diode
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
VF
-
-
0.37
V
IF=1mA
Reverse current
IR
-
-
1
mA
VR=10V
Capacitance between terminals
Ct
-
2.0
-
pF
VR=1V f=1MHz
Parameter
Conditions
Parameter
-40 to +125
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)
Symbol
Limits
Unit
40
40
30
200
125
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)
ROHM : UMD3
JEITA : SC-70
dot (year week factory)
JEDEC :SOT-323
UMD3
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.3±0.1
各リードともEach lead has same dimension
同寸法
(3)
1.3±0.1
（0.65）
（0.65）
(2)
(1)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7±0.1
0.1Min
0～0.1
0.9MIN.
0.8MIN.
1.6
0.65
1.3
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φf1.551.55±0.05?0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
fφ0.50.5±0.05?0.05
2.4±0.1
2.25±0.1
　　　　 0
5.5±0.2
1.25±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0～0.1
anode
anode
cathode
1/5
2013.04 - Rev.C
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